半導体モジュール

新しいアプリ:波長調整可能 LED

新しい波長調整可能 LED アプリは、GaN 方式の発光ダイオード (LED) 装置の放出特性をシミュレートします。このデバイスは、GaN の 2 つの層間に配置された光学的に活性の InGaN 層を持つ二重ヘテロ構造設計です。InGaN 層のインジウム配合は、発光波長を制御するために変更できます。装置の電流、強度、効率はすべて、単独の電圧について、あるいはユーザー定義の範囲内の電圧の関数として計算します。発光スペクトルを計算して、ピーク発光が可変範囲内におさまれば、対応する RGB 値が計算され、発光色が表示されます。

シミュレーション成功後の発光スペクトルと発光色を示した波長調整可能 LEDアプリのスクリーンショット。 シミュレーション成功後の発光スペクトルと発光色を示した波長調整可能 LEDアプリのスクリーンショット。

シミュレーション成功後の発光スペクトルと発光色を示した波長調整可能 LEDアプリのスクリーンショット。

間接光学遷移

シリコンや、その他間接的バンドギャップ材料における光吸収は、新しい間接光学遷移機能でモデル化できるようになりました。シリコンの光発生率は、経験的モデルで自動的に計算でき、短時間に簡単にシリコン光起電装置をシミュレートできます。また、その他の材料では、ユーザー定義のオプションにより、屈折率と、吸収係数の値のいずれかで光発生率を指定できます。この間接光学遷移機能は、半導体インタフェース内のスタンドアロン機能として、あるいは電磁波インタフェース、周波数領域または電磁波インタフェース、ビームエンベロープインタフェースと連成して使用できます (波動光学モジュールが必要)。

(a) 間接光学遷移のメイン設定遷移モデルリストには、経験的シリコン吸収 (Green and Keeves) とユーザー定義の吸収という 2 つのオプションがあります。電磁波インタフェースで電磁場を計算する場合、経験的モデルにはそれ以外の入力は不要です。 (a) 間接光学遷移のメイン設定遷移モデルリストには、経験的シリコン吸収 (Green and Keeves) とユーザー定義の吸収という 2 つのオプションがあります。電磁波インタフェースで電磁場を計算する場合、経験的モデルにはそれ以外の入力は不要です。

(a) 間接光学遷移のメイン設定遷移モデルリストには、経験的シリコン吸収 (Green and Keeves) とユーザー定義の吸収という 2 つのオプションがあります。電磁波インタフェースで電磁場を計算する場合、経験的モデルにはそれ以外の入力は不要です。

半導体材料ライブラリにダイヤモンド材料を追加

半導体材料ライブラリでダイヤモンドを利用できるようになりました。

自然放出のために強化されたポストプロセス変数

新しいポストプロセス変数を追加しました。これによって、自然放出スペクトルを光子エネルギー、波長、周波数の関数としてプロットできるようになりました。また、光子エネルギー、波長、周波数の各変数は、光学遷移機能で追加された余剰次元によって、直接アクセスできるようになりました。従来、これらの数量は角振動数に関する式を使用して計算する必要がありました。