Vacancy Electromigration in IC Interconnect Lines
Application ID: 113951
As integrated circuit (IC) technology advances, with circuits becoming more powerful and compact, it is increasingly important to identify and prevent any cause of circuit failure.
One particularly critical factor contributing to circuit failure is electromigration within the interconnects, stemming from the accumulation of vacancies within the metal.
Electromigration denotes the migration of vacancies within the metal, driven by electric fields, concentration, hydrostatic stress, and temperature gradients. This example illustrates how this highly coupled phenomenon can be modeled and analyzed in COMSOL Multiphysics.
この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
- COMSOL Multiphysics® and
- either the MEMS モジュール, or 構造力学モジュール
アプリケーションのモデリングに必要な COMSOL® 製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, フィジックスインターフェース, パーツライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償のトライアルライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチームでは, この件に関するご質問にお答えしています.