CFD and Thermal Simulation of Ring-Lamp-Heated Epitaxial Equipment
Application ID: 152401
In epitaxial growth processes, the uniformity of temperature distribution and the stability of gas flow within the chamber are critical factors determining film quality. This model demonstrate the CFD and thermal analysis of a ring‑lamp‑heated epitaxial reactor chamber, considering the coupling of carrier gas flow, wafer rotation, and thermal radiation from the halogen lamps. Based on the CFD and heat transfer analysis, the three‑dimensional temperature field, velocity field, and radiative heat flux distribution inside the chamber are obtained, with particular emphasis on the temperature uniformity across the wafer surface and the overall flow pattern.
この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
- COMSOL Multiphysics® and
- デザインモジュール and
- 伝熱モジュール and
- either the CFD モジュール, or ポリマー流れモジュール and
- either the CFD モジュール, マイクロフルイディクスモジュール, or プラズマモジュール
アプリケーションのモデリングに必要な COMSOL® 製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, フィジックスインターフェース, パーツライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償のトライアルライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチームでは, この件に関するご質問にお答えしています.
