Thermal Analysis of a Czochralski Crystal Growth Furnace
Application ID: 124201
The Czochralski (CZ) method is one of the most important methods for the preparation of monocrystalline silicon. The shape of the crystal, especially the diameter, is controlled by carefully adjusting the heating power, the pulling rate, and the rotation rate of the crystal.
This model demonstrates the thermal analysis of such a crystal growth furnace. The system is heated using an electric heater and the surface-to-surface radiation is considered. The crucible and crystal rods are rotating in the opposite directions. The flow in the melt is neglected in the current model. The protective gas flow and the convective heat transfer is investigated to find out the right parameters to maintain the required temperature gradient at the crystal growth interface.
この application の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
アプリケーションのモデリングに必要な COMSOL® 製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, フィジックスインターフェース, パーツライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償のトライアルライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチームでは, この件に関するご質問にお答えしています.