シリコンウェハーのレーザー加熱

Application ID: 13835


シリコンウェハーは, 時間の経過とともに放射状に移動するレーザーによって加熱されます. さらに, ウェハー自体もステージ上で回転します. レーザーからの入射熱流束は, 表面上の空間的に分散した熱源としてモデル化されます. ウェハーの過渡的な熱応答が表示されます. 加熱プロセス中のピーク温度, 平均温度, 最小温度, およびウェハー全体の温度変化が計算されます.

この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.