アプリケーションギャラリには電気, 構造, 音響, 流体, 熱および化学分野に関連する COMSOL Multiphysics® チュートリアルおよびデモアプリファイルが用意されています. これらの例はチュートリアルモデルまたはデモアプリファイルとそれに付随する手順をダウンロードすることにより独自のシミュレーション作業の開始点として使用できます.
クイック検索機能を使用して専門分野に関連するチュートリアルやアプリを検索します. MPHファイルをダウンロードするには, ログインするか, 有効な COMSOL ライセンスに関連付けられている COMSOL Access アカウントを作成します. ここで取り上げた例の多くは COMSOL Multiphysics® ソフトウェアに組み込まれ ファイルメニューから利用できるアプリケーションライブラリからもアクセスできることに注意してください.
In this model, a modal analysis is performed while parametrically sweeping the length of a waveguide from 0.5 um to 4 um to derive the dispersion curve for the anisotropic core. Both transverse and longitudinal anisotropy are considered in two different models. These models are ... 詳細を見る
This model demonstrates how to couple the Semiconductor interface to the Heat Transfer in Solids interface. A thermal analysis is performed on the existing bipolar transistor model in the case when the device is operated in the active-forward configuration. The Semiconductor interface ... 詳細を見る
A Czerny-Turner monochromator spatially separates polychromatic light into a series of monochromatic rays. This model simulates a crossed Czerny-Turner configuration that consists of a spherical collimating mirror, a planar diffraction grating, a spherical imaging mirror, and an array ... 詳細を見る
This model presents a solution to the Transient Electromagnetic Analysis Methods (TEAM) workshop problem 28, “An Electrodynamic Levitation Device”- a benchmark problem involving the dynamic coupling of electromagnetics and rigid body dynamics. An electrodynamic levitation force is ... 詳細を見る
このチュートリアルでは, PIN ダイオードの定常応答とパルス応答の過渡解析をそれぞれ行います. 放射線の影響は, デバイス内で空間的に均一な電子-正孔対の生成としてモデル化されます. 高線量率では, 生成された電荷の分離により内部電場強度が減少し, 過剰キャリアが長期間蓄積されます. この現象の定量的な予測は, 解析解を得ることができないため, 数値シミュレーションによってのみ可能です. 高い逆バイアス, 電場依存移動度, および時間依存の解析において収束を達成するためのいくつかの手法を示します. 計算されたキャリア濃度と電場分布は, 参考文献とよく一致しています. 詳細を見る
A very wide band coaxial low-pass filter is designed using a 2D axisymmetric model. To address the wide band frequency response with a fine frequency resolution, the model is built with a transient physics interface first. Then, S-parameters are calculated using a time-to-frequency ... 詳細を見る
This model shows how to model the avalanche breakdown due to the impact ionization in a Silicon Carbide diode. The current-voltage (I-V) characteristics of the device are presented as well as the electric field distribution plot. Furthermore, the carrier generation term has been computed ... 詳細を見る
