アプリケーションギャラリには電気, 構造, 音響, 流体, 熱および化学分野に関連する COMSOL Multiphysics® チュートリアルおよびデモアプリファイルが用意されています. これらの例はチュートリアルモデルまたはデモアプリファイルとそれに付随する手順をダウンロードすることにより独自のシミュレーション作業の開始点として使用できます.
クイック検索機能を使用して専門分野に関連するチュートリアルやアプリを検索します. MPHファイルをダウンロードするには, ログインするか, 有効な COMSOL ライセンスに関連付けられている COMSOL Access アカウントを作成します. ここで取り上げた例の多くは COMSOL Multiphysics® ソフトウェアに組み込まれ ファイルメニューから利用できるアプリケーションライブラリからもアクセスできることに注意してください.
This model demonstrates how to couple the Semiconductor interface to the Heat Transfer in Solids interface. A thermal analysis is performed on the existing bipolar transistor model in the case when the device is operated in the active-forward configuration. The Semiconductor interface ... 詳細を見る
This model shows how to set up a simple Bipolar Transistor model. The output current-voltage characteristics in the common-emitter configuration are computed and the common-emitter current gain is determined. 詳細を見る
このチュートリアルでは, PIN ダイオードの定常応答とパルス応答の過渡解析をそれぞれ行います. 放射線の影響は, デバイス内で空間的に均一な電子-正孔対の生成としてモデル化されます. 高線量率では, 生成された電荷の分離により内部電場強度が減少し, 過剰キャリアが長期間蓄積されます. この現象の定量的な予測は, 解析解を得ることができないため, 数値シミュレーションによってのみ可能です. 高い逆バイアス, 電場依存移動度, および時間依存の解析において収束を達成するためのいくつかの手法を示します. 計算されたキャリア濃度と電場分布は, 参考文献とよく一致しています. 詳細を見る
This model calculates the current and charge characteristics of a floating gate Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) device. A stationary study demonstrates the effects of varying the charge stored on the floating gate by computing Current-Voltage curves as a ... 詳細を見る
This tutorial compares experimental data from the literature with a COMSOL model of a MOSCAP with interface traps (surface states). The Trap-Assisted Surface Recombination feature is used to simulate the effects of the trap charges and the processes of carrier capturing and emitting by ... 詳細を見る
This model simulates a GaN based light emitting diode. The emission intensity, spectrum, and quantum efficiency are calculated as a function of the driving current. Direct radiative recombination across the band gap is modeled, as well as non-radiative Auger and trap-assisted ... 詳細を見る
This benchmark model simulates three different heterojunction configurations under forward and reverse bias. It shows the difference in using the continuous quasi-Fermi level formulation versus the thermionic emission formulation for the charge transfer across the heterojunction. The ... 詳細を見る
This model extracts spice parameters for a silicon p-n junction diode. The spice parameters are used to create a lumped-element equivalent circuit model of a half-wave rectifier that is compared to a full device level simulation. In this example, a device model is made by connecting a 2D ... 詳細を見る
This model captures the dynamic resistive switching behavior of an oxide-based memristor. The device features a thin metal oxide layer sandwiched between two metal electrodes. When a voltage is applied, oxygen vacancies within the oxide layer migrate, acting as charge carriers and ... 詳細を見る
This app demonstrates the following: Multiple components (1D and 3D) in a single app Using the same choice list in the app as in the model using Data Access functionality Output numerical results for a specific time step using a combo box The app combines the Ray Optics Module and ... 詳細を見る