アプリケーションギャラリには電気, 構造, 音響, 流体, 熱および化学分野に関連する COMSOL Multiphysics® チュートリアルおよびデモアプリファイルが用意されています. これらの例はチュートリアルモデルまたはデモアプリファイルとそれに付随する手順をダウンロードすることにより独自のシミュレーション作業の開始点として使用できます.
クイック検索機能を使用して専門分野に関連するチュートリアルやアプリを検索します. MPHファイルをダウンロードするには, ログインするか, 有効な COMSOL ライセンスに関連付けられている COMSOL Access アカウントを作成します. ここで取り上げた例の多くは COMSOL Multiphysics® ソフトウェアに組み込まれ ファイルメニューから利用できるアプリケーションライブラリからもアクセスできることに注意してください.
This benchmark model computes the valence band structure of an unstrained and a strained bulk GaN wurtzite crystal, as a tutorial for users who wish to set up multiple wave function components with the Schrödinger Equation interface. The model follows the formulation given in the ... 詳細を見る
This tutorial compares experimental data from the literature with a COMSOL model of a MOSCAP with interface traps (surface states). The Trap-Assisted Surface Recombination feature is used to simulate the effects of the trap charges and the processes of carrier capturing and emitting by ... 詳細を見る
This model shows how to compute the AC characteristics of a MOSFET. Both the output conductance and the transconductance are computed as a function of the drain current. 詳細を見る
The double barrier structure is of interest because of its application in semiconductor devices such as resonant-tunneling diodes. This verification example demonstrates the Schrödinger Equation interface to set up a simple 1D GaAs/AlGaAs double barrier structure to analyze the ... 詳細を見る
The metal-silicon-oxide (MOS) structure is the fundamental building block for many silicon planar devices. Its capacitance measurements provide a wealth of insight into the working principles of such devices. This tutorial constructs a simple 1D model of a MOS capacitor (MOSCAP). Both ... 詳細を見る
このチュートリアルでは, PIN ダイオードの定常応答とパルス応答の過渡解析をそれぞれ行います. 放射線の影響は, デバイス内で空間的に均一な電子-正孔対の生成としてモデル化されます. 高線量率では, 生成された電荷の分離により内部電場強度が減少し, 過剰キャリアが長期間蓄積されます. この現象の定量的な予測は, 解析解を得ることができないため, 数値シミュレーションによってのみ可能です. 高い逆バイアス, 電場依存移動度, および時間依存の解析において収束を達成するためのいくつかの手法を示します. 計算されたキャリア濃度と電場分布は, 参考文献とよく一致しています. 詳細を見る
This tutorial model solves the Gross–Pitaevskii Equation for the vortex lattice formation in a rotating Bose–Einstein condensate bound by a harmonic trap. The equation is essentially a nonlinear single-particle Schrödinger Equation, with the inter-particle interaction represented by a ... 詳細を見る
For a description of this model, see our accompanying blog post "Can COMSOL Multiphysics® Solve the Hydrogen Atom?". 詳細を見る
This benchmark example builds two models of a cross-bridge Kelvin resistor used for extracting the specific contact resistivity. The first model simulates the system in 3D, using the contact resistance feature built in the Semiconductor interface. The other model is a 2D approximation of ... 詳細を見る
In this second half of a two-part example, a 3D model of a trench-gate IGBT is built by extruding the 2D model from the first half. Unlike the 2D model, now it is possible to arrange the alternating n+ and p+ emitters along the direction of extrusion as in the real device. This more ... 詳細を見る