Double Barrier 1D
Application ID: 47041
The double barrier structure is of interest because of its application in semiconductor devices such as resonant-tunneling diodes.
This verification example demonstrates the Schrödinger Equation interface to set up a simple 1D GaAs/AlGaAs double barrier structure to analyze the quasibound states and their time evolution, the resonant tunneling phenomenon, and the transmission as a function of energy. The model results show very good agreement with analytical results, both for the computed eigenenergies for the quasibound states and the resonant tunneling condition, as well as the computed transmission coefficients.
この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
アプリケーションのモデリングに必要な COMSOL® 製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, フィジックスインターフェース, パーツライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償のトライアルライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチームでは, この件に関するご質問にお答えしています.