Forward Recovery of a PIN Diode
Application ID: 58031
This tutorial simulates the turn-on transient (forward recovery) of a simple PIN diode, based on the book "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. J. Baliga (p. 242, 2008 edition). The diode is current driven with a constant ramp rate of 1e9, 2e9 and 1e10 A/cm^2/sec and a steady state current density of 100 A/cm^2. The resulting time evolution of the device voltage and electron concentration compare well to those shown in the book (Fig. 5.30 ~ 5.31). For a more sophisticated example including band gap narrowing, carrier-carrier scattering, and external load circuit elements, see the tutorial "Reverse Recovery of a PIN Diode".
この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
アプリケーションのモデリングに必要な COMSOL® 製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, 物理インターフェース, 部品ライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償評価ライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチームでは, この件に関するご質問にお答えしています.