P–N Junction 1D
Application ID: 14621
This simple benchmark model computes the potential and carrier concentrations for a one-dimensional p-n junction using both the finite element and finite volume methods. The results are compared with an equivalent device from the book, "Semiconductor Devices: A Simulation Approach," by Kramer and Hitchon.
この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
アプリケーションのモデリングに必要なCOMSOL®製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, 物理インターフェース, 部品ライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償評価ライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチーム](/contact) では, この件に関するご質問にお答えしています.