Trench-Gate IGBT 3D
Application ID: 101501
In this second half of a two-part example, a 3D model of a trench-gate IGBT is built by extruding the 2D model from the first half. Unlike the 2D model, now it is possible to arrange the alternating n+ and p+ emitters along the direction of extrusion as in the real device. This more realistic arrangement leads to better quantitative agreement with experimental data. The computed collector current density as a function of the collector voltage agrees reasonably well with the published result.
この model の例は, 通常次の製品を使用して構築されるこのタイプのアプリケーションを示しています.
ただし, これを完全に定義およびモデル化するには, 追加の製品が必要になる場合があります. さらに, この例は, 次の製品の組み合わせのコンポーネントを使用して定義およびモデル化することもできます.
アプリケーションのモデリングに必要な COMSOL® 製品の組み合わせは, 境界条件, 材料特性, フィジックスインターフェース, パーツライブラリなど, いくつかの要因によって異なります. 特定の機能が複数の製品に共通している場合もあります. お客様のモデリングニーズに適した製品の組み合わせを決定するために, 製品仕様一覧 を確認し, 無償のトライアルライセンスをご利用ください. COMSOL セールスおよびサポートチームでは, この件に関するご質問にお答えしています.