半導体デバイス Blog Posts
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CMOS技術に適した共振器の開発
2023年 6月 30日
サブGHz帯の技術は, ホームオートメーションやインフラ監視などに何十億という単位で使用されている. この需要の高まりにより, 最適に設計されたRFフィルターと共振器が求められています.
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COMSOL Multiphysics®は水素原子を解析できますか?
2023年 4月 28日
このブログでは, 量子力学の紹介と水素原子のモデル化について学びます.
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ベンチマークモデルによる特性接触抵抗の抽出
2022年 3月 16日
半導体モジュールを使用して, 金属コンタクトに接触抵抗を追加できるようになりました. このブログでは, この新機能を利用したベンチマークモデルをご紹介します.
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シミュレーションアプリによる太陽電池設計の最適化
2021年 10月 28日
Zilina 大学の修士課程の学生によって設計された SolCelSim アプリは, 研究者がシミュレーションソフトに不慣れでも, 太陽電池設計のシミュレーションを可能にします.
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均一磁場中のシリコン量子ドットのシミュレーション
2021年 1月 26日
太陽電池, LED, ディスプレイ, 光検出器, 量子コンピューティングはすべて, ナノテクノロジーの分野で不可欠な要素である量子ドットの潜在的な応用分野です.
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歪んだウルツ鉱のバンド構造のためのk • p法
2020年 12月 1日
シュレーディンガー方程式インターフェースの多成分波動関数機能を使用して, スピンを持つ粒子や歪みのあるウルツ鉱型結晶などの幅広い半導体系をモデル化します.
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ボーズ・アインシュタイン凝縮体における渦格子形成モデル
2020年 11月 17日
ボーズ・アインシュタイン凝縮は, 超流動, 超伝導, レーザー, 閉じ込められた希薄冷却原子などを引き起こす可能性があります. このような系が回転摂動を受けると, 渦格子が形成されます.
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密度勾配理論を用いた3つの半導体デバイスモデル
2019年 12月 2日
密度勾配理論を使用して半導体デバイスをモデル化できます. ここでは, Si 反転層, Si ナノワイヤー MOSFET, InSb p チャネル FET の 3 つの例を示します.
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