電磁気学 Blog Posts
ゲージ固定とは? 理論的紹介
2020年 3月 24日
マックスウェル方程式に適用されるヘルムホルツの定理の結果, および物理的な場を表現するためにスカラーおよびベクトルの電位を使用する場合の結果を調べます.
波動光学モジュールを使用したレンズシミュレーションの実行方法
2020年 2月 19日
波動光学のレンズシミュレーションは, 通常, 多くのメッシュ要素を必要とするため, 実行が困難な場合があります. 波動光学モジュールの機能を使って, この問題を回避する方法をご紹介します.
電気熱解析にはどのスタディタイプを使用するか?
2020年 1月 13日
COMSOL Multiphysics で電気熱解析を実装する際に使用する最適なインターフェースは何でしょうか？インターフェース, スタディタイプ, 高周波数および低周波数のマルチフィジックスカップリングについて説明します.
カール要素とは (そしてなぜそれが必要なのか) ？
2019年 12月 30日
いくつかの電磁気学の問題を解決するとき, カール要素 (エッジ要素またはベクトル要素とも呼ばれます) を有限要素法で使用できます.
密度勾配理論を用いた3つの半導体デバイスモデル
2019年 12月 2日
密度勾配理論を使用して半導体デバイスをモデル化できます. ここでは, Si 反転層, Si ナノワイヤー MOSFET, InSb p チャネル FET の 3 つの例を示します.
半導体デバイスシミュレーションのための密度勾配理論入門
2019年 11月 27日
密度勾配理論は, 半導体デバイスのシミュレーションによく使われる従来のドリフト拡散定式化に量子閉じ込めを含める計算効率の高い方法です.
B-H曲線が磁気分析に与える影響とその改善策
2019年 11月 26日
磁性軟鉄鋼は, モーター, トランス, インダクターなどのコア材として広く用いられている. このような材料の磁化特性を表すのがB-H曲線である.
半導体デバイスにおける放射線効果のシミュレーション
2019年 11月 20日
半導体デバイスにおける放射線の影響を分析することは, 民生用電子機器, 医療用画像処理, 原子力工学, 航空宇宙, その他幅広い産業にとって重要です.