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COMSOL Multiphysics® での感度解析の方法

2020年 2月 6日

設計パラメーターは, その性能にどのような影響を与えるのでしょうか?この関係を理解することは, 設計プロセスの重要な部分です. 感度解析を行うことで, それが可能になります.

トポロジ最適化の結果をモデルジオメトリとして使用する方法

2020年 1月 24日

多くの場合, トポロジ最適化は設計プロセスの最後のステップではありません. 実際トポロジ最適化の結果は次の解析のためのモデルジオメトリとして使用することができます.

画像をジオメトリモデルに変換するアドインの使い方

2020年 1月 23日

画像を描いて COMSOL Multiphysics® にインポートすると, Image to Curve アドインが画像のコンタープロットから補間曲線を作成してくれることをご存知ですか?

電気熱解析にはどのスタディタイプを使用するか?

2020年 1月 13日

COMSOL Multiphysics で電気熱解析を実装する際に使用する最適なインターフェースは何でしょうか?インターフェース, スタディタイプ, 高周波数および低周波数のマルチフィジックスカップリングについて説明します.

アドインを使用してモデルビルダーのワークフローをカスタマイズする方法

2020年 1月 3日

アドインを作成して使用したり, 独自のアドインライブラリを構築したり, COMSOL Multiphysics® の組み込みライブラリを使用したりすることで, モデルビルダーのワークフローをカスタマイズして効率化できます.

カール要素とは (そしてなぜそれが必要なのか) ?

2019年 12月 30日

いくつかの電磁気学の問題を解決するとき, カール要素 (エッジ要素またはベクトル要素とも呼ばれます) を有限要素法で使用できます.

COMSOLドキュメンテーションのためのウェブブラウザー翻訳ツールの使用

2019年 12月 12日

COMSOLのドキュメンテーションには, 役立つ情報がたくさん含まれています.ほとんどのウェブブラウザーには自動翻訳ツールが搭載されており, お好みの言語でドキュメンテーションを読むことができます.

密度勾配理論を用いた3つの半導体デバイスモデル

2019年 12月 2日

密度勾配理論を使用して半導体デバイスをモデル化できます. ここでは, Si 反転層, Si ナノワイヤー MOSFET, InSb p チャネル FET の 3 つの例を示します.

半導体デバイスシミュレーションのための密度勾配理論入門

2019年 11月 27日

密度勾配理論は, 半導体デバイスのシミュレーションによく使われる従来のドリフト拡散定式化に量子閉じ込めを含める計算効率の高い方法です.

B-H曲線が磁気分析に与える影響とその改善策

2019年 11月 26日

磁性軟鉄鋼は, モーター, トランス, インダクターなどのコア材として広く用いられている. このような材料の磁化特性を表すのがB-H曲線である.

半導体デバイスにおける放射線効果のシミュレーション

2019年 11月 20日

半導体デバイスにおける放射線の影響を分析することは, 民生用電子機器, 医療用画像処理, 原子力工学, 航空宇宙, その他幅広い産業にとって重要です.

音響モデリングでソルバー推奨設定を使用する方法

2019年 8月 30日

大規模な業界規模の音響​​をモデリングする場合, 手元にあるハードウェアで問題を効率的に求解するのが難しいと感じたことはありませんか? COMSOL Multiphysics® のソルバー推奨設定をご利用ください.


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