半導体デバイス Blog Posts
計算電磁気モデリング: どのモジュールを使用するか?
2020年 7月 28日
特定の電磁気デバイスまたはアプリケーション領域に携わっている場合, COMSOL 製品のどのモジュールが適しているか疑問に思うかもしれません. 包括的な紹介については, 読み進めてください.
密度勾配理論を用いた3つの半導体デバイスモデル
2019年 12月 2日
密度勾配理論を使用して半導体デバイスをモデル化できます. ここでは, Si 反転層, Si ナノワイヤー MOSFET, InSb p チャネル FET の 3 つの例を示します.
半導体デバイスシミュレーションのための密度勾配理論入門
2019年 11月 27日
密度勾配理論は, 半導体デバイスのシミュレーションによく使われる従来のドリフト拡散定式化に量子閉じ込めを含める計算効率の高い方法です.
半導体デバイスにおける放射線効果のシミュレーション
2019年 11月 20日
半導体デバイスにおける放射線の影響を分析することは, 民生用電子機器, 医療用画像処理, 原子力工学, 航空宇宙, その他幅広い産業にとって重要です.
ナノワイヤーベンチマークの自己無頓着シュレディンガー・ポアソン結果
2018年 10月 18日
この GaAs ナノワイヤーのベンチマークモデルは, 量子閉じ込め電荷キャリアを持つ系のモデリングに役立つシュレーディンガー・ポアソン方程式マルチフィジックス インターフェースを検証します.