Chien Liu の全ての投稿
ベンチマークモデルによる特性接触抵抗の抽出
半導体モジュールを使用して, 金属コンタクトに接触抵抗を追加できるようになりました. このブログでは, この新機能を利用したベンチマークモデルをご紹介します.
圧電マイクロポンプをシミュレートする方法
圧電材料と流体-構造間の相互作用効果の組み合わせ, 速度依存式の使用, 固体と流体のドメイン間の切断メッシュの設定などの方法を学びます.
均一磁場中のシリコン量子ドットのシミュレーション
太陽電池, LED, ディスプレイ, 光検出器, 量子コンピューティングはすべて, ナノテクノロジーの分野で不可欠な要素である量子ドットの潜在的な応用分野です.
歪んだウルツ鉱のバンド構造のためのk • p法
シュレーディンガー方程式インターフェースの多成分波動関数機能を使用して, スピンを持つ粒子や歪みのあるウルツ鉱型結晶などの幅広い半導体系をモデル化します.
ボーズ・アインシュタイン凝縮体における渦格子形成モデル
ボーズ・アインシュタイン凝縮は, 超流動, 超伝導, レーザー, 閉じ込められた希薄冷却原子などを引き起こす可能性があります. このような系が回転摂動を受けると, 渦格子が形成されます.
密度勾配理論を用いた3つの半導体デバイスモデル
密度勾配理論を使用して半導体デバイスをモデル化できます. ここでは, Si 反転層, Si ナノワイヤー MOSFET, InSb p チャネル FET の 3 つの例を示します.
半導体デバイスシミュレーションのための密度勾配理論入門
密度勾配理論は, 半導体デバイスのシミュレーションによく使われる従来のドリフト拡散定式化に量子閉じ込めを含める計算効率の高い方法です.
半導体デバイスにおける放射線効果のシミュレーション
半導体デバイスにおける放射線の影響を分析することは, 民生用電子機器, 医療用画像処理, 原子力工学, 航空宇宙, その他幅広い産業にとって重要です.
ナノワイヤーベンチマークの自己無頓着シュレディンガー・ポアソン結果
この GaAs ナノワイヤーのベンチマークモデルは, 量子閉じ込め電荷キャリアを持つ系のモデリングに役立つシュレーディンガー・ポアソン方程式マルチフィジックス インターフェースを検証します.
COMSOL Multiphysics での弱形式の実装
弱形式方程式に関するシリーズのパート 2 では, COMSOL Multiphysics® を使用してこれらの方程式を数値的に実装して解く方法を説明します.
弱形式の簡単な紹介
日常生活で有限要素解析やベクトル計算を使用するかどうかに関係なく, この弱形式方程式の入門は役立つでしょう.
