COMSOL Multiphysics^® 6.2 リリースハイライト

半導体モジュールのアップデート

半導体モジュールのユーザー向けに, COMSOL Multiphysics® バージョン 6.2 では, 解析前にドーピングプロファイルを簡単にプレビューできます. 有限要素ベースのフィジックスインターフェースの安定性, 精度, 効率が大幅に向上しました. オプトエレクトロニクスモデリングワークフローの大幅な強化. アップデートの詳細については, 以下をご覧ください.

ドーピングプロファイルを可視化するためのプレビューボタン

半導体モデリングでは, 正確なドーピングプロファイルの定義が最も重要です. 解析的ドーピングモデルと幾何学的ドーピングモデル機能には, モデル方程式を解く前にドーピングプロファイルを可視化するために使用できる2つの新しいプレビューボタンが導入されました. 2つのプレビューボタン, [選択されたドーピングプロファイルのプロット]と[すべての総ドーピングプロファイルのプロット]には, 設定ウィンドウとコンテキストメニューの両方でアクセスできます. [選択されたドーピングプロファイルをプロット] ボタンを使用すると, 選択したドーピング機能によって導入されたドーパント濃度を可視化できます. 一方, [すべての総ドーピングをプロット] ボタンは総ドーパント濃度の絶対値を可視化します. 総ドーピングプロファイルプロットでは, p 型領域が赤で表示され, n 型領域が青で表示されるため, 2つの領域を簡単に区別でき, 方程式を解く前にモデル定義が正しいことを確認できます. 次のモデルを使用して, この新しい機能を探索できます:

• bipolar_transistor
• bipolar_transistor_3d
• mosfet
• trench_gate_igbt_3d
• gaas_pn_junction_infrared_led_diode

有限要素公式のパフォーマンスの向上

対数, 準フェルミ準位, 密度勾配定式化を含む有限要素定式化の安定性, 精度, 効率が大幅に強化されました. これらの改善には, 弱形式方程式, 制約設定, デフォルトのソルバー設定の改善など, さまざまな側面が含まれます. その結果, アプリケーションライブラリ内のモデルの大部分は, 有限要素公式を使用してより効率的に求解できるようになりました. たとえば, 以前は, 有限体積定式化を使用して 3Dバイポーラートランジスターモデルを解くのに通常は丸 1 日かかりましたが, 改良された有限要素対数定式化により, このモデルは標準 PC で 15分で解けるようになりました.

簡素化されたオプトエレクトロニクスモデリングワークフロー

オプトエレクトロニクスモデリングワークフローのユーザーインターフェースが改善され, 半導体インターフェースまたは他の光学インターフェースを使用して光学物理を定義するプロセスが合理化されました. 半導体電磁波結合機能については, 光学物理学が提供されている場合に情報メッセージが表示されるようになり, 結合の詳細な回路図が設定ウィンドウの式セクションに追加されました.

量子物理学をモデル化するための無限要素領域ドメイン

シュレディンガー方程式インターフェースを含むモデルに無限要素ドメイン機能を追加できるようになりました. この更新は, 新しい水素原子の求解チュートリアル モデルで確認できます. 水素原子を解く チュートリアルモデルでこの機能を見ることができます.

拡張衝撃イオン化生成モデル

インパクトイオン化生成機能の Okuto–Crowell モデルは, 2つの追加のイオン化パラメーターを使用して電場に対するさまざまな依存性を説明できる, より一般的な式に更新されました.

総ドーピングプロファイルを含む新しいデフォルトプロット

デフォルトの総ドーピングプロファイルグループが半導体インターフェースに追加され, 総ドーパント濃度の絶対値が自動的に表示されます.

新しいチュートリアルモデル

COMSOL Multiphysics^® バージョン 6.2 では, 半導体モジュールに以下の新規および更新されたチュートリアルモデルが追加されました.