分子流モジュール

真空システムの低圧気体流をモデル化するソフトウェア

分子流モジュール

イオン注入機では、ビーム経路に沿ったガス放出分子の平均数密度を、設計を評価する性能指数として使用します。平均数密度は、ウエハー角度の関数として、1 軸を中心とした回転で計算します。

自由粒子流れを理解し、予測する

分子流モジュールを使えば真空系を設計し、低圧ガス流れを理解し、予測することができます。これらのツールが現象の理解を助け、プロトタイプコストを減らし、開発スピードを加速させるにつれ、設計サイクルにおけるシミュレーションツールの使用はますます広がってきました。従って、設計プロセスにおけるシミュレーションの使用が増えることは本質的なコスト削減につながります。真空系で起こるガス流れは通常の流体流れ問題とは異なる物理で記述されます。低圧においてはガス分子の平均自由行程は系のサイズと同等で、ガスの希薄化が重要になります。流れはクヌーセン数(Kn)を通して定量的に分類されますが、それはガス流れのジオメトリサイズに対する分子の平均自由行程の比として表されます。

流れのタイプ クヌーセン数
連続流 Kn < 0.01
すべり流れ 0.01 < Kn < 0.1
遷移流れ 0.1 < Kn < 10
自由分子流れ Kn > 10

マイクロフルイディクスモジュールはすべり流れと連続流れをモデル化する一方、分子流モジュールは自由分子流れを精度よくシミュレートするために設計されています。歴史的には、この部類に属する流れはモンテカルロ法(DSMC)による直接シミュレーションによってモデル化されてきました。その方法はランダムに発生させた大量の粒子を系において追跡するものですが、モデル化のプロセスで統計的なノイズが混入してしまいます。真空系などで見られるような低速流れにはDSMCによるノイズはシミュレーションにおいて好ましくありません。

事例紹介

  • 自由分子流インターフェースで利用できる角度係数手法と、数学的粒子追跡インターフェースを使用するモンテカルロ法の両方を使用した RF カプラーの通過確率 (粒子追跡モジュールが必要)。 自由分子流インターフェースで利用できる角度係数手法と、数学的粒子追跡インターフェースを使用するモンテカルロ法の両方を使用した RF カプラーの通過確率 (粒子追跡モジュールが必要)。

低圧、低速のガス流れの高精度モデリング

分子流モジュールは、従来はできなかった、複雑なジオメトリにおける低圧ガス流れの高精度モデリングを提供するために設計されました。それは、半導体プロセス、粒子加速器、質量分光装置などの真空系のシミュレーションに適しています。狭流路のアプリケーション(例えばシェールガス掘削やナノポーラス材質中の流れなど)にも使えるでしょう。分子流モジュールは角係数法を使って、分子流束、圧力、数密度、熱流束を表面上で計算することにより自由分子流れの定常状態をシミュレートします。数密度はドメイン、サーフェス、エッジ、ポイントで周囲の表面での分子流束から再構成することができます。等温、非等温の分子流れをモデル化でき、ガス分子からの熱流束寄与を求めることができます。

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